MICRON DDR4 SDRAM
發(fā)布時(shí)間:2021-03-01 17:10:53 瀏覽:2797
MICROND DR4S DRAM是一種高帶寬電子計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。它隸屬于SDRAM系列儲(chǔ)存器產(chǎn)品,提供比DDR3 SDRAM更強(qiáng)的性能指標(biāo)和更低的電流電壓,是全新的儲(chǔ)存器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。
MICRON的DDR4是DRAM的下一個(gè)發(fā)展趨勢(shì),它產(chǎn)生了更強(qiáng)的性能指標(biāo)和更強(qiáng)大的操縱基本功能,與此同時(shí)提高了企業(yè)、微型服務(wù)器、平板電腦和超薄客戶端應(yīng)用程序的能耗等級(jí)。

DDR4 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
寬度:X4,x8,x16
電流電壓:1.2伏特
包裝:FBGA,TFBGA
時(shí)鐘頻率:1200MHz,1333MHz,1600MHz
運(yùn) 溫度:0C至+95C,-40C至+95C,-40C至+105C,-40C至+125C
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,以庫(kù)存MICRON高可靠性內(nèi)存顆粒芯片和工業(yè)級(jí)內(nèi)存條為特色產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)。歡迎咨詢合作。
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2N5114/2N5115/2N5116 P溝道JFET晶體管,封裝T0-18,最大Vgss 30V,Igs -90mA/-60mA/-25mA,RDS(on) 75Ω/100Ω/175Ω,符合軍用標(biāo)準(zhǔn),低導(dǎo)通電阻,高關(guān)斷隔離,適用于±10VAC信號(hào)處理,無(wú)需驅(qū)動(dòng)器,僅需+5V邏輯。注意工作時(shí)的絕對(duì)最大額定值。
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