SD211DE/SST211/SST213/SST215高速N溝道橫向DMOS FET開關Linear Systems
發布時間:2024-04-28 09:39:53 瀏覽:2971
Linear Systems的SD211DE/SST211/SST213/SST215系列是由增強型MOSFET組成的高速N溝道橫向DMOS (Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) FET開關。
這些器件的特點包括超快的開關速度(1ns)、極低的反電容(0.2pF)、適用于5V模擬制造可靠性、低導通閾值電壓以及n溝道增強模式。

其主要優點包括高速系統性能、在高頻下低插入損耗、低傳輸信號損耗、簡單的驅動要求以及單電源操作。這些特性使得該系列產品非常適用于快速模擬開關、快速取樣保持、Pixel-Rate切換、DAC Deglitchers和高速的驅動器等應用場景。
與SD211DE/SST211/SST213/SST215類似的產品還包括四陣列- SD5000/5400系列,以及采用橫向結構實現低電容和超保護的SD210DE/214DE等產品。
PART NUMBER | V(BR)DS Min (V) | V(os)em Max (V) | FDS(on) Max (Q) | Css Max(pF) | toN Max (ns) |
SD211DE | 30 | 1.5 | 45 @ Vas=10V | 0.5 | 2 |
SD213DE | 10 | 1.5 | 45 @ Vas=10V | 0.5 | 2 |
SD215DE | 20 | 1.5 | 45 @ Vas=10V | 0.5 | 2 |
SST211 | 30 | 1.5 | 50 @ Vas=10V | 0.5 | 2 |
SST213 | 10 | 1.5 | 50 @ Vas=10V | 0.5 | 2 |
SST215 | 20 | 1.5 | 50 @ Vas=10V | 0.5 | 2 |
相關推薦:
立維創展優勢代理Linear Systems產品,價格優惠,歡迎咨詢。
推薦資訊
MICRON? DDR3 SDRAM提供比以往的DDR和DDR2SDRAM更多的帶寬。除了優良的性能指標外,MICRON DDR3還具備較低的工作電壓范圍。其結果可能是在消耗相同或更少的系統功率的同時,具有更高的帶寬。
MSP430F5436A是TI德州儀器一款超低功耗微控制器,適用于便攜式測量應用,具有低功耗特性、高性能16位RISC CPU、靈活的電源管理系統、豐富的外設配置和寬工作溫度范圍,非常適合電池供電的設備。
在線留言