国产在线色I一区中文字幕I精品免费囯产一区二区三区I无码精品人妻一区二区三区118I高清精品在线I2021久久I一级免费观看I日韩无码AV一区Ixxxx日韩欧美精品I天堂AⅤ大芭蕉伊人AVI99成人在线视频I欧美视频不卡I日本人体久久I亚洲少妇COMI精品一区二区成人精品I国产99一区二区I欧美777在线视频免费观看I亚洲精选成人

iNRCORE 100B-1003XNL單端口變壓器模塊

發(fā)布時(shí)間：2024-05-23 09:03:50     瀏覽：1943

　　iNRCORE 100B-1003XNL單端口變壓器模塊是一款遵循IEEE 802.3標(biāo)準(zhǔn)的模塊。它具有350微亨(μH)的OCL和8毫安(mA)的直流偏壓。這款模塊的型號(hào)之一，它與其他型號(hào)如100B-1001NL和100B-1001一同展出，其工作溫度范圍從-55°C到+125°C。

iNRCORE 100B-1003XNL單端口變壓器模塊

　　此外，該模塊還具有一些關(guān)鍵的電氣特性。其絕緣耐壓能力達(dá)到1500伏特(VDC)，封裝類(lèi)型為Sno3P637，并且濕度敏感度等級(jí)為3。關(guān)于該模塊的電氣規(guī)格，如插入損耗、回波損耗、串?dāng)_和差模到共模抑制比等，下面圖片中給出了詳細(xì)的數(shù)據(jù)表格，展示了不同頻率下的性能表現(xiàn)。

Electrical Specifications @25℃
Part
Number		Insertion Loss
(dB MAX		Return Loss
dB MIN		Crosstolk
(dB MIN		DM to CM Rejection Ratio
(dB MIN)
0.10
MHz		30
MHz		60
MHz		80
MHz		100
MHz		2
MHz		30
MHz		50
MHz		60
MHz		80
MHz		16
MHz		30
MHz		60
MHz		80
MHz		0.10
MHz		30
MHz		60
MHz		100
MHz
100B-10011.21.21.21.21.218181412104844403845403030
100B-1001X1.21.21.21.21.218181412104844403845403030
100B-10031.01.01.01.01.020201412124845403845403535
100B-1003X1.21.21.21.21.220201412124845403845403535

相關(guān)推薦：

INRCORE汽車(chē)BMS變壓器 

INRCORE高頻巴倫適配器轉(zhuǎn)換器 

iNRCORE電流互感器 

iNRCORE反激式變壓器

更多INRCORE相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢(xún)立維創(chuàng)展。

推薦資訊

  • LSK389超低噪聲單芯片雙通道N溝道JFET
    LSK389超低噪聲單芯片雙通道N溝道JFET 2024-01-11 09:41:14

    LSK389 是 Linear Systems 低噪聲 JFET 系列的領(lǐng)先產(chǎn)品。LSK170 是 LSK389 的 N 溝道單通道版本，LSJ74 是 LSK170 的 P 溝道對(duì)應(yīng)版本。與LSK389相比，N溝道雙LSK489的噪聲略高，但輸入電容較低，LSJ689?是其P溝道雙通道。除 LSK 系列外，所有 Linear Systems 的 JFET 標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的噪聲都遠(yuǎn)低于其他制造商的產(chǎn)品，并以改進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品?商標(biāo)進(jìn)行銷(xiāo)售。

  • vishay CBB3100BLGKWS薄膜二進(jìn)制MOS電容芯片
    vishay CBB3100BLGKWS薄膜二進(jìn)制MOS電容芯片 2025-03-18 09:14:46

    vishay CBB 和 CBC 是薄膜二進(jìn)制 MOS 電容芯片，每片包含五個(gè)以二進(jìn)制增量排列的不同容量電容，提供多種容量選擇。這些芯片采用 Vishay Electro-Films 的先進(jìn)薄膜技術(shù)制造，經(jīng)過(guò) 100% 電氣測(cè)試和目視檢查，符合 MIL-STD-883 標(biāo)準(zhǔn)。CBB 和 CBC 分別具有 0402 和 0404 封裝，容量范圍分別為最高 31 pF 和 93 pF，采用二氧化硅介質(zhì)材料和半導(dǎo)體硅基底，背面鍍金，具有低介質(zhì)損耗。它們?cè)O(shè)計(jì)用于通過(guò)線鍵合技術(shù)調(diào)整混合電路中的電容。

在線留言

在線留言