国产在线色I一区中文字幕I精品免费囯产一区二区三区I无码精品人妻一区二区三区118I高清精品在线I2021久久I一级免费观看I日韩无码AV一区Ixxxx日韩欧美精品I天堂AⅤ大芭蕉伊人AVI99成人在线视频I欧美视频不卡I日本人体久久I亚洲少妇COMI精品一区二区成人精品I国产99一区二区I欧美777在线视频免费观看I亚洲精选成人

SD11721 1200V SiC N溝道功率MOSFET

發布時間：2024-07-03 09:18:47     瀏覽：2921

SD11721 1200V SiC N溝道功率MOSFET

　　Solitron Devices SD11721 1200V SiC N溝道功率MOSFET的主要特點和技術規格如下：

　　高阻斷電壓與低通態電阻：該MOSFET具有高達1200V的阻斷電壓(Vs = 1200V)，并且具有低通態電阻(Ros(on) = 50 mΩ)，這意味著在開關狀態切換時能夠減小功耗，提高效率。

　　高速開關與低電容：SD11721適合高速開關應用，并且具有低電容特性，這有助于減少開關過程中的能量損失。

　　高操作結溫能力：該MOSFET能夠在高溫環境下工作，其操作結溫范圍達到-55℃至+175℃。

　　快速而健壯的內置體二極管：這是該MOSFET的一個重要特點，能夠快速且有效地處理反向電流。

　　優化的塑料封裝：采用TO-247-4塑料封裝，具有優化的封裝設計和分離的驅動源引腳(4-G)，以及8mm的漏極和源極之間的爬電距離(creepage distance)，確保了在高溫和高濕等惡劣環境下的穩定性和可靠性。

　　應用廣泛：SD11721適用于多種應用，包括太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、電機驅動器、高壓DC/DC轉換器以及開關模式電源等。

更多Solitron Devices SiC MOSFET相關產品信息可咨詢立維創展。

推薦資訊

  • 100B-1001X單端口變壓器模塊iNRCORE
    100B-1001X單端口變壓器模塊iNRCORE 2024-04-02 09:59:49

    iNRCORE單端口變壓器模塊100B-1001X符合IEEE 802.3標準，經過Ruggedized處理，絕緣耐壓值高達1500伏特，工作溫度范圍-40°C至+85°C，存儲溫度范圍-55°C至+125°C。采用Epoxy Encapsulated封裝，引腳采用Sn63Pb37鍍層，OCL為350微亨(μH)，DC偏置為8毫安(mA)。詳細電氣規格數據和濕氣敏感性等級為3級，具有一定的穩定性。

  • Ampleon BLF242功率MOS晶體管
    Ampleon BLF242功率MOS晶體管 2024-05-17 09:30:02

    Ampleon BLF242功率MOS晶體管是一款專為HF/VHF發射器設計的硅N溝道增強模式垂直D-MOS晶體管，具有高功率增益、低噪音、良好的熱穩定性和可靠性。它適用于25200兆赫頻率范圍，提供13-16分貝的功率增益和50-60%的漏極效率，適用于專業發射器應用。

在線留言

在線留言