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Solitron Devices SMF460 650V N溝道功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間：2024-12-30 08:51:50     瀏覽：2748

Solitron Devices SMF460 650V N溝道功率MOSFET

　　Solitron Devices SMF460這款MOSFET適用于需要高電壓和高電流的應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和高功率開關(guān)電路。

　　關(guān)鍵特性：

　　連續(xù)漏極電流 (ID)：10A

　　導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：300mΩ

　　快速恢復(fù)二極管：內(nèi)置

　　雪崩額定：能夠承受高能量脈沖

　　封裝：TO-254 密封封裝

　　背面隔離：提供額外的絕緣

　　篩選：JANTX, JANTXV 篩選可用

　　絕對(duì)最大額定值(TC = 25°C，除非另有說明)：

　　漏源電壓 (VDSmax)：650V

　　柵源電壓 (VGSM)：±30V(瞬態(tài))

　　柵源電壓 (VGSS)：±20V(連續(xù))

　　連續(xù)漏極電流 (ID25)：10A

　　脈沖漏極電流 (ID(PULSE))：40A(脈沖寬度Tp受TJmax限制)

　　功率耗散 (PD)：116W

　　結(jié)溫范圍，工作/存儲(chǔ) (TJ/TSTG)：-55°C至150°C

　　電氣規(guī)格(TJ = 25°C，除非另有說明)：

　　體二極管正向電壓 (VSD)：1.4V(當(dāng)IS = 10A, VGS = 0V)

　　漏源擊穿電壓 (V(BR)DSS)：650V

　　柵閾值電壓 (VGS(th))：3至5V

　　關(guān)態(tài)漏極電流 (IDSS)：10μA(在VDS = 650V, VGS = 0V, T = 25°C)

　　柵源漏電流 (IGSS)：±100nA(在VGS = ±20V, VDS = 0V)

　　漏源導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：260至300mΩ(在VGS = 10V, ID = 6A, TJ = 25°C)

　　跨導(dǎo) (Gfs)：6.5S(在VDS = 10V, ID = 6A, TJ = 25°C)

　　總柵電荷 (Qg(on), Qgs, Qgd)：17, 4.7, 6.1nC(在VGS = 10V, VDS = 325V, ID = 6A)

　　開關(guān)時(shí)間 (td(on), tr, td(off), tf)：23, 24, 47, 15ns(在VDD = 325V, ID = 6A, RG = 4.3Ω)

　　熱阻 (RthJC)：1.08°C/W

更多Solitron Devices SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢立維創(chuàng)展。

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