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Solitron 2N4338和2N4339 N溝道JFET

發布時間：2025-07-01 09:27:11     瀏覽：1636

　　Solitron Devices公司的2N4338和2N4339是專為低噪聲應用設計的N溝道結型場效應晶體管(JFET)，采用單晶硅工藝制造。這兩款器件在工業、軍事和航空航天領域有著廣泛應用，特別適合需要高可靠性、低噪聲和穩定性能的電路設計。

Solitron 2N4338和2N4339 N溝道JFET

參數2N43382N4339單位測試條件
漏極飽和電流(IDSS)0.2-0.60.5-1.5mAVDS=15V, VGS=0V
柵源截止電壓(VGS(OFF))<1.0<1.8VVDS=15V, ID=50nA
正向跨導(GFS)1200-24001600-3000μSVDS=15V, VGS=0V, f=1kHz
輸入電容(Ciss)5-75-7pFVDS=15V, VGS=0V, f=1MHz
反向傳輸電容(Crss)2.5-3.52.5-3.5pFVDS=15V, VGS=0V, f=1MHz

　　關鍵優勢：

　　超低噪聲系數(4.2 nV/√Hz典型值)

　　極低截止電壓(2N4338<1.0V，2N4339<1.8V)

　　優異的溫度穩定性(-55°C至+125°C)

　　高增益和良好的線性度

　　動態特性

　　噪聲性能：2N4338在1kHz時噪聲系數低至4.2nV/√Hz，非常適合音頻前置放大應用

　　頻率響應：功率增益帶寬積約50MHz(典型值)

　　開關速度：開啟延遲時間約10ns(RL=1kΩ, VDD=15V)

　　封裝

　　TO-18金屬封裝：

　　3引腳圓形金屬外殼

　　尺寸：φ5.2mm×4.7mm(典型值)

　　重量：0.35g(典型值)

　　符合MIL-STD-750標準

　　SOT-23塑料封裝：

　　3引腳表面貼裝

　　尺寸：2.9mm×1.6mm×1.0mm

　　適合高密度PCB設計

更多Solitron Devices SiC MOSFET相關產品信息可咨詢立維創展。

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