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Semelab D2002UK射頻功率MOSFET晶體管

發(fā)布時(shí)間：2026-02-05 09:04:10     瀏覽：101

　　D2002UK 是 Semelab(現(xiàn)隸屬于 TT Electronics) 推出的一款 N 溝道射頻功率 MOSFET(DMOS)，主要用于 射頻功率放大與發(fā)射應(yīng)用，適合中低功率、寬頻段的 RF 設(shè)計(jì)需求。

Semelab D2002UK射頻功率MOSFET晶體管

　　主要參數(shù)概覽

　　基本信息

　　器件類型：射頻功率 MOSFET

　　極性：N-Channel(增強(qiáng)型)

　　品牌 / 廠商：Semelab / TT Electronics

　　型號(hào)：D2002UK

　　封裝形式：DP 陶瓷法蘭封裝

　　安裝方式：螺釘固定，表貼/法蘭安裝

　　電氣特性(典型值)

　　漏極-源極擊穿電壓(VDS)：約 65 V

　　連續(xù)漏極電流(ID)：約 2 A

　　最大柵源電壓(VGS)：±20 V

　　柵極閾值電壓(VGS(th))：約 1 – 7 V

　　射頻輸出功率：約 5 W(連續(xù)波 CW)

　　功率增益：約 13 dB

　　工作頻率范圍：DC ～ 1 GHz

　　最大功耗：約 29 W

　　熱學(xué)與機(jī)械特性

　　結(jié)到殼熱阻(RθJC)：約 6 °C/W

　　工作溫度：最高可達(dá)約 150 °C(殼溫)

　　典型尺寸：約 18.9 × 6.35 × 5.08 mm

　　典型應(yīng)用

　　D2002UK 廣泛應(yīng)用于中低功率射頻場(chǎng)景，包括但不限于：

　　VHF / UHF 射頻功率放大器

　　無(wú)線通信發(fā)射模塊

　　工業(yè)射頻設(shè)備

　　測(cè)試與儀表類 RF 放大單元

　　產(chǎn)品特點(diǎn)總結(jié)

　　覆蓋 DC–1GHz 的寬頻工作能力

　　5W 級(jí)射頻輸出功率，適合驅(qū)動(dòng)級(jí)或小功率末級(jí)

　　陶瓷法蘭封裝，散熱性能好、可靠性高

　　適合通信、工業(yè)及專業(yè)射頻應(yīng)用

Semelab公司是一家專注于高可靠性半導(dǎo)體器件的制造商，提供功率半導(dǎo)體、RF MOSFET等產(chǎn)品，深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司優(yōu)勢(shì)提供Semelab產(chǎn)品線，歡迎咨詢了解。

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